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NF C93-526/A1-1992 NFC93-526-1990的补充1

作者:标准资料网 时间:2024-05-26 16:54:28  浏览:8265   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:
【原文标准名称】:NFC93-526-1990的补充1
【标准号】:NFC93-526/A1-1992
【标准状态】:作废
【国别】:法国
【发布日期】:1992-01-01
【实施或试行日期】:1992-01-05
【发布单位】:法国标准化协会(AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:低频电缆;绝缘;电缆护套;低频;绝缘电缆;总论;聚烯烃;电气工程
【英文主题词】:generalsection;insulatedcables;electricalengineering;lowfrequencies;cablesheaths;low-frequencycables;insulations;polyolefins
【摘要】:
【中国标准分类号】:K13
【国际标准分类号】:29_060_20
【页数】:37P;A4
【正文语种】:其他


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基本信息
标准名称:化学品分类、警示标签和警示性说明安全规范 有机过氧化物
英文名称:Safety rules for classification、precautionary labelling and precautionary statements of chemicals - Organic peroxides
中标分类: 综合 >> 标志、包装、运输、贮存 >> 标志、包装、运输、贮存综合
ICS分类: 环保、保健与安全 >> 危险品防护
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2006-10-24
实施日期:2008-01-01
首发日期:2006-10-24
作废日期:
主管部门:国家标准化管理委员会
提出单位:全国危险化学品管理标准化技术委员会
归口单位:全国危险化学品管理标准化技术委员会
起草单位:中化化工标准化研究所、江苏出入境检验检疫局、四川危险化学品质量监督检验所等
起草人:梅建、张少岩、汤礼军、周飞舟、戴祖清、张君玺、倪艾逊
出版社:中国标准出版社
出版日期:2008-01-01
页数:【彩图】平装16开/页数:14/字数:23千字
计划单号:20030706-Q-469
适用范围

本标准规定了有机过氧化物的术语和定义、分类、判定流程和指导、类别和警示标签、类别和标签要素的配置及警示性说明的一般规定。
本标准适用于有机过氧化物按联合国《化学品分类及标记全球协调制度》的危险性分类、警示标签和警示性说明。

前言

没有内容

目录

没有内容

引用标准

没有内容

所属分类: 综合 标志 包装 运输 贮存 标志 包装 运输 贮存综合 环保 保健与安全 危险品防护
基本信息
标准名称:硅外延片
英文名称:Silicon epitaxial wafers
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
替代情况:替代GB/T 14139-1993
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-06-01
首发日期:1993-02-06
作废日期:
主管部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:宁波立立电子股份有限公司
起草人:许峰、刘培东、李慎重、谌攀
出版社:中国标准出版社
出版日期:2010-06-01
页数:12页
计划单号:20062372-T-469
适用范围

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。
本标准适用于在N 型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N+ )和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P+ )的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

前言

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目录

没有内容

引用标准

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款?凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本?凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准?
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1 部分;按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
(GB/T2828.1-2003,ISO28591;1999,IDT)
GB/T6617 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T12962 硅单晶
GB/T12964 硅单晶抛光片
GB/T13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂浓度换算规程
GB/T14141 硅外延层?扩展层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T14145 硅外延层堆垛层错密度测定 干涉相衬显微镜法
GB/T14146 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容电压法
GB/T14246 半导体材料术语
GB/T14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
YS/T24 外延钉缺陷的检验方法

所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料

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